RFsemi

About RFsemi

历程

为满足顾客而努力的RFsemi的足迹。

2023年

05月二次电池事业追加事业目的
04月磷酸铁锂电池版权及供货协议签订转让协议
03月总公司位于大田
2022年

01月开发远UVC杀菌灯并开始销售
2021年

11月庆北大学外泌体（EV）分离装置专利权转让合同签订 10月开始SIC半导体代工业务
2020年

12月开发激光治疗用微透镜
2019年

11月获得大田销售塔奖
6月被选为KDB全球挑战者200
2018年

12月良好的工作环境认证
10月兴建总部大楼
2月智利本地公司设立
2017年

3月阿根廷本地公司设立
2016年

11月月美国本地公司设立
6月连续8年KRX Rising Star获奖
2015年

8月连续7年KRX Rising Star获奖
3月马来西亚本地公司设立
3月获得纳税人之日“铜塔产业勋章”奖
1月研发D-COB MODULE
2014年

6月全州第2工厂竣工
4月连续6年KRX Hidden champion获奖
2月AC恒流性LED照明系列产品量产
2013年

6月连续5年KRX Hidden champion获奖
1月AC 恒流性 LED Light 研发
1月中国法人深圳爱来福光电有限公司设立
2012年

11月3,000万美金出口塔奖获奖
10月研发 Schottky Diode
9月研发 ECM Module
8月研发 Power TVS Diode
6月研发 AC Direct LED Driver
5月连续4年为KRX Hidden champion 获奖
2011年

12月研发 Low Cap. TVS Diode
11月2,000万美金出口塔奖获奖
11月追加上市(无偿增资)
11月与大田广域市协议，女性亲和企业
9月研发 CRD
6月KoFC Frontier Champ企业获奖
5月连续3年KRX Hidden champion获奖
2010年

11月连续2年KRX Hidden champion获奖
4月KIBO 成功企业人奖获奖
3月第1次生生KOSDAQ-Hidden champion奖获奖
2009年

12月KRX Hidden champion 获奖
11月总部搬迁(Miracle building 10层)
4月研发 LED用 TVS Diode
3月纳税模范企业国税厅长奖获奖
2008年

12月1,000万美金出口塔获奖
11月设立中国法人威海爱来福半导体科技有限公司
3月研发 TVS Diode
2007年

12月大德特区技术化事业大奖获奖
11月500万美金出口塔获奖
11月KOSDAQ上市
3月全州第1工厂增设>
2006年

12月研发 RF Filter
12月大德valley IT 企业大奖获奖
12月被选为中小企业振兴工团 world class企业
12月风险企业大奖奖励奖获奖
11月100万美金出口塔奖获奖
1月研发P-1009T PKG
2005年

8月研发 P-1009 PKG
6月研发 SOT300 PKG
2004年

1月被选为技术信用保证基金优良企业
2003年

8月被选为大田广域市有前途中小企业
6月研发 ECM IC
2002年

1月研发 RF Transistor
2001年

11月被选为INNO-BIZ企业
10月总部搬迁(忠南大学产学研教育研究馆 803号)
7月获得ISO9001认证
5月设立附属半导体技术研究所
2000年

12月全州第一工厂竣工
9月研发 ECM Transistor
1月SOT1608 PKG研发 (1.6x0.8x0.8 (mm))
1999年

10月风险企业登记
10月设立（株）RFsemi法人

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